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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
比较
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
总分
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
总分
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
35
左右 3% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.9
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
35
读取速度,GB/s
15.7
15.7
写入速度,GB/s
11.9
11.8
内存带宽,mbps
21300
21300
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2803
2767
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
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A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
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