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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Differenze
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
10.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
30
Velocità di lettura, GB/s
15.0
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
2628
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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