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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno -29% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.5
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
21300
Intorno 1.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
28
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
23400
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
3419
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
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