SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    28 left arrow 36
    Около -29% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    17.4 left arrow 15
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    14.5 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 21300
    Около 1.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 17.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 14.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2657 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения