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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.7
10.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
23
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
14.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
21300
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2657
3156
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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