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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
総合得点
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
総合得点
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
相違点
仕様
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考慮すべき理由
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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考慮すべき理由
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
36
周辺 -57% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17
15
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.7
10.1
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
36
23
読み出し速度、GB/s
15.0
17.0
書き込み速度、GB/秒
10.1
14.7
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2657
3156
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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