RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
38
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
13.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
37
Velocità di lettura, GB/s
13.8
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.8
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2073
2389
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link