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SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB vs Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
总分
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
38
左右 -3% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
9.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
37
读取速度,GB/s
13.8
13.9
写入速度,GB/s
9.8
9.9
内存带宽,mbps
19200
19200
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2073
2389
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
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