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Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
总分
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
41
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.7
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
33
读取速度,GB/s
13.3
19.7
写入速度,GB/s
8.5
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2322
3671
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
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