RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Confronto
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,042.4
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
61
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
61
30
Velocità di lettura, GB/s
4,448.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,042.4
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
860
3157
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link