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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Confronto
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
36
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
6.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
3.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
29
36
Velocità di lettura, GB/s
6.9
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
3.8
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
865
2489
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre D4 8G 8GB
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