SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    29 left arrow 38
    Intorno 24% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.6 left arrow 6.9
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.8 left arrow 3.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    12800 left arrow 8500
    Intorno 1.51 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    29 left arrow 38
  • Velocità di lettura, GB/s
    6.9 left arrow 12.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    3.8 left arrow 8.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Descrizione
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    865 left arrow 2174
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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