SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Gesamtnote
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Gesamtnote
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Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Unterschiede

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 38
    Rund um 24% geringere Latenzzeit
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.6 left arrow 6.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.8 left arrow 3.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 8500
    Rund um 1.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 38
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6.9 left arrow 12.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    3.8 left arrow 8.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    865 left arrow 2174
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