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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
総合得点
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
総合得点
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
38
周辺 24% 低遅延
考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
12.6
6.9
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.8
3.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
12800
8500
周辺 1.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
38
読み出し速度、GB/s
6.9
12.6
書き込み速度、GB/秒
3.8
8.8
メモリ帯域幅、mbps
8500
12800
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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2174
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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