RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 38
    周辺 24% 低遅延
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    12.6 left arrow 6.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.8 left arrow 3.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 8500
    周辺 1.51 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    29 left arrow 38
  • 読み出し速度、GB/s
    6.9 left arrow 12.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    3.8 left arrow 8.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    8500 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    865 left arrow 2174

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB RAMの比較

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB

Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB RAMの比較

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
メモリRAM
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
メモリRAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
メモリRAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
メモリRAM