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SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
比较
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
总分
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.6
6.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
3.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
12800
8500
左右 1.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
6.9
12.6
写入速度,GB/s
3.8
8.8
内存带宽,mbps
8500
12800
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
865
2174
SK Hynix HMT125S6TFR8C-G7 2GB RAM的比较
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Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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