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SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB vs Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Punteggio complessivo
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
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Motivi da considerare
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
58
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.8
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
6.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
58
32
Velocità di lettura, GB/s
8.2
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
6.4
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1718
2271
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT102464BF1339.C16 8GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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