RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
24.4
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.7
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
24.4
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
19.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
4300
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link