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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
41
Intorno -32% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
31
Velocità di lettura, GB/s
11.6
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2928
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
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Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
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