RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
50
Intorno -79% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
28
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3398
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link