RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сравнить
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB против Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
50
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.0
1,457.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
50
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,757.3
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,457.4
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
557
3398
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Сравнения RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link