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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
11.6
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1718
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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