RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
41
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.7
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
40
Velocità di lettura, GB/s
11.6
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
2204
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M2D3000C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link