RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
48
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
48
Velocità di lettura, GB/s
10.7
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
1858
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link