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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
43
Intorno -43% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
21.4
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
30
Velocità di lettura, GB/s
10.7
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
4156
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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