RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
45
Intorno 4% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
1900
Intorno 5.58% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
10.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
45
Velocità di lettura, GB/s
10.7
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
1900
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
2387
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link