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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.7
7.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
43
Intorno -10% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
39
Velocità di lettura, GB/s
10.7
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1314
1768
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
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Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
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