RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
54
Intorno 30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.9
10.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
54
Velocità di lettura, GB/s
10.9
10.4
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2259
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link