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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
54
左右 30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.2
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
54
读取速度,GB/s
10.9
10.4
写入速度,GB/s
6.6
8.2
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
1406
2259
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
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