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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
总分
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
总分
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
47
左右 -38% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.2
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
34
读取速度,GB/s
9.3
11.2
写入速度,GB/s
5.9
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1413
2245
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB RAM的比较
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
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