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SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
38
Intorno -52% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
6.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
25
Velocità di lettura, GB/s
10.9
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1406
2620
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
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SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
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