RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
71
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.7
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
71
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1775
1767
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link