RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Porównaj
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
71
Wokół strony 45% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
71
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1775
1767
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link