SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 39
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.4 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.5 left arrow 7.7
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 14.4
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.7 left arrow 9.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 10600
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1775 left arrow 2321
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