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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
39
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
39
35
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.7
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1775
2321
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
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