SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    35 left arrow 39
    Около -11% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    14.4 left arrow 12.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.5 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    39 left arrow 35
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 14.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.7 left arrow 9.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1775 left arrow 2321
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения