RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
38
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
23
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
17.1
Скорость записи, Гб/сек
12.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2922
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link