RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
38
Wokół strony -65% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.5
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2283
2922
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link