RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Rund um 1.33% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
38
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.1
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
38
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
17.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
19200
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2283
2922
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology J642GU42J7240N2 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link