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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Confronto
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
43
Intorno -10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
43
39
Velocità di lettura, GB/s
12.3
16.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1706
2782
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
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Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
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