RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Comparez
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Note globale
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Note globale
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
43
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.9
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
39
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1706
2782
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Comparaison des RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link