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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Punteggio complessivo
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Differenze

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Motivi da considerare
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Segnala un bug
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    12.3 left arrow 12.2
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 6.1
    Valore medio nei test
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Motivi da considerare
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Segnala un bug
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 43
    Intorno -65% latenza inferiore
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 12800
    Intorno 1.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    43 left arrow 26
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.3 left arrow 12.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.1 left arrow 6.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1706 left arrow 1711

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Confronto tra le RAM

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB Confronto tra le RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Memoria RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Memoria RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Memoria RAM
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Memoria RAM
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Memoria RAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Memoria RAM