RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
37
Intorno -6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
35
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2336
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link