RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
37
Intorno -9% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
34
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
2780
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Mushkin 991586 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link