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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
48
49
Intorno -2% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
8.9
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
5.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
49
48
Velocità di lettura, GB/s
8.2
8.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
5.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1223
1420
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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