SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB против Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Средняя оценка

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Сообщить об ошибке

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

48 49

Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения

8.9 8.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

5.9 5.2

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

49 48
Скорость чтения, Гб/сек

8.2 8.9
Скорость записи, Гб/сек

5.2 5.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 10600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1223 1420

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Kingston X3XCFP-HYA 8GB

Kingston X3XCFP-HYA 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

Kingston 9905702-019.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

Kingston 9905624-019.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

модули RAM