Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB против Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

-->

Средняя оценка

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Средняя оценка

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Причины выбрать
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 38

Около 3% меньшая задержка

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Причины выбрать
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

18.7 11.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 7.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston XJV223-MIE-NX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

37 38
Скорость чтения, Гб/сек

11.4 18.7
Скорость записи, Гб/сек

7.4 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1683 3334

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB

модули RAM

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB

модули RAM

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Avant Technology F6451U64F9333G 4GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

Kingston 9905678-042.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

модули RAM