RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
45
Около -137% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
19
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
18.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2077
3220
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link