RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
49
Intorno 6% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
49
Velocità di lettura, GB/s
11.6
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
8.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1854
2413
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link