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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Comparar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pontuação geral
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Pontuação geral
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
49
Por volta de 6% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
11.6
10.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
49
Velocidade de leitura, GB/s
11.6
10.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
8.3
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1854
2413
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB Comparações de RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
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