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SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB vs Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
39
Intorno 36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
25
39
Velocità di lettura, GB/s
14.4
12.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2181
1770
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
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