RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
71
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.3
6.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.7
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
71
Velocità di lettura, GB/s
13.7
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.3
6.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2152
1650
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link